納米SiC導熱吸波粉
納米SiC導熱吸波粉具有納米粒度分布窄、純度高、堆積密度高、絕緣性能好等優(yōu)點。經過表面改性和造粒制成的納米SiC造粒粉，具有密度大、球度一致性好、填充性能好、導熱系數高等優(yōu)點。造粒粉粒度范圍為10μm～120μm，可根據用戶需求定制；流動性指數可達94，休止角達20o。<br/> 產品規(guī)格：30μm～100μm，可根據用戶需求定制。
所屬分類：
立方SiC導熱吸波粉
關鍵詞：
導熱
納米
材料
咨詢熱線：
納米SiC導熱吸波粉
圖文詳情
立方SiC導熱吸波粉
SiC具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導熱、抗氧化性以及高強度、低密度、介電性能可設計等優(yōu)異特性，是極具應用潛力的導熱吸波型材料。在半導體材料中，SiC的高導熱系數奠定了其在第三代半導體材料中的主導地位，SiC器件可在高溫下長時間穩(wěn)定工作，促進了其在新一代芯片技術和導熱散熱技術領域的推廣應用。下表列出了三代半導體材料的熱學性能對比。
三代半導體材料的熱學性能對比表
特征參數 | 第三代 | 第二代 | 第一代 | ||
材料類型 | SiC | GaN | GaAs | InP | Si |
熱導率/(W.m-1·K-1) | 490 | 130 | 46 | 80 | 150 |
熔點/℃ | 2830 | 1700 | 1238 | 1070 | 1410 |
工作溫度/℃ | ＞500 | ＞500 | 350 | 300 | 250 |
博爾公司憑借30年在碳化硅粉體合成、分級、整形、純化、熱壓與無壓浸滲、高導熱陶瓷制造等方面的技術儲備，快速進入熱管理材料領域，并逐步開發(fā)了3C-SiC導熱吸波粉、納米SiC導熱吸波粉等系列產品，特別適合于對導熱、吸波及絕緣等指標有特殊要求的產品。已在國內多家大型導熱、吸波、屏蔽企業(yè)完成產品應用，使用效果優(yōu)于日本、德國和美國等進口粉體。
博爾立方碳化硅（BESC）導熱吸波粉優(yōu)勢如下：
1）棱角鈍化，形貌規(guī)整，填充性能好、穩(wěn)定性好、易于形成更多的導熱通道。
2）比表面積小，吸油值低、流動性好。
3）粒度分布窄，顆粒集中度比國標至少提高10%以上。
4）堆積密度高，最高可達2.2g/cm3。
5）純度高，SiC純度可達4N~5N～6N。
6）吸波性能良好、介電性能可調。
7）性價比高，可用于6-8W及以上的導熱產品。
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