產(chǎn)品展示
3C-SiC導(dǎo)熱吸波粉
3C-SiC導(dǎo)熱吸波粉具有晶型完整、導(dǎo)熱系數(shù)高，吸波性能好，電子遷移率、擊穿電場強度、相對介電常數(shù)等電學(xué)性能各向同性等特點。3C- SiC純度：SiC≥99%。堆積密度：1.3～2.0g/cm<sup>3</sup>。 產(chǎn)品規(guī)格：0.5μm～40μm，可根據(jù)用戶需求定制。
所屬分類：
立方SiC導(dǎo)熱吸波粉
關(guān)鍵詞：
導(dǎo)熱
性能
材料
咨詢熱線：
3C-SiC導(dǎo)熱吸波粉
圖文詳情
立方SiC導(dǎo)熱吸波粉
SiC具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導(dǎo)熱、抗氧化性以及高強度、低密度、介電性能可設(shè)計等優(yōu)異特性，是極具應(yīng)用潛力的導(dǎo)熱吸波型材料。在半導(dǎo)體材料中，SiC的高導(dǎo)熱系數(shù)奠定了其在第三代半導(dǎo)體材料中的主導(dǎo)地位，SiC器件可在高溫下長時間穩(wěn)定工作，促進了其在新一代芯片技術(shù)和導(dǎo)熱散熱技術(shù)領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。下表列出了三代半導(dǎo)體材料的熱學(xué)性能對比。
三代半導(dǎo)體材料的熱學(xué)性能對比表
特征參數(shù) | 第三代 | 第二代 | 第一代 | ||
材料類型 | SiC | GaN | GaAs | InP | Si |
熱導(dǎo)率/(W.m-1·K-1) | 490 | 130 | 46 | 80 | 150 |
熔點/℃ | 2830 | 1700 | 1238 | 1070 | 1410 |
工作溫度/℃ | ＞500 | ＞500 | 350 | 300 | 250 |
博爾公司憑借30年在碳化硅粉體合成、分級、整形、純化、熱壓與無壓浸滲、高導(dǎo)熱陶瓷制造等方面的技術(shù)儲備，快速進入熱管理材料領(lǐng)域，并逐步開發(fā)了3C-SiC導(dǎo)熱吸波粉、納米SiC導(dǎo)熱吸波粉等系列產(chǎn)品，特別適合于對導(dǎo)熱、吸波及絕緣等指標(biāo)有特殊要求的產(chǎn)品。已在國內(nèi)多家大型導(dǎo)熱、吸波、屏蔽企業(yè)完成產(chǎn)品應(yīng)用，使用效果優(yōu)于日本、德國和美國等進口粉體。
博爾立方碳化硅（BESC）導(dǎo)熱吸波粉優(yōu)勢如下：
1）棱角鈍化，形貌規(guī)整，填充性能好、穩(wěn)定性好、易于形成更多的導(dǎo)熱通道。
2）比表面積小，吸油值低、流動性好。
3）粒度分布窄，顆粒集中度比國標(biāo)至少提高10%以上。
4）堆積密度高，最高可達2.2g/cm3。
5）純度高，SiC純度可達4N~5N～6N。
6）吸波性能良好、介電性能可調(diào)。
7）性價比高，可用于6-8W及以上的導(dǎo)熱產(chǎn)品。
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